上海續(xù)波光電技術(shù)有限公司
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詳細(xì)摘要： 多元素大面積薄膜沉積化學(xué)束外延技術(shù)中最重要的是識(shí)別合適的化學(xué)前驅(qū)體，因?yàn)榛瘜W(xué)束外延工藝條件與其他采用化學(xué)前驅(qū)體的典型技術(shù)（例如CVD,ALD）不同
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2022-10-15 在線留言
詳細(xì)摘要： 化學(xué)束外延起源于上個(gè)世紀(jì)80年代，它結(jié)合了分子束外延（MBE）和化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，適用于生長(zhǎng)III-V族半導(dǎo)體薄膜，也可以用于Si,SixGe1...
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詳細(xì)摘要： 氣源分子束外延GSMBE、高真空化學(xué)氣相沉積HVCVD金屬有機(jī)物分子束外延MOMBE、激光輔助沉積、化學(xué)束外延融合了MBE和CVD優(yōu)點(diǎn)
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